Eberspacher μοτέρ ανεμιστήρα αέρα καύσης για θερμαντήρες Airtronic D 4 plus και D 4 S Κατασκευαστές

Λόγω της χημικής και φυσικής του σταθερότητας, η σκληρότητα και η αντίσταση στη διάβρωση του καρβιδίου του πυριτίου είναι υψηλή. Το καρβίδιο του πυριτίου ονομάζεται επίσης διαμάντι ή μπορεί να ειπωθεί ότι είναι διαμάντι. Είναι μόνο διαφορετικό. Η αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες είναι εξαιρετικά υψηλή και δεν υπάρχει απολύτως κανένα πρόβλημα με 1000 ° C ή περισσότερο.

Τα κεραμικά υποστρώματα χρησιμοποιούνται σήμερα σε ηλεκτρονικές μονάδες ισχύος, πλεονεκτήματα: υψηλή μηχανική αντοχή, σκληρότητα και θερμική αγωγιμότητα Το νιτρίδιο του πυριτίου έχει υψηλότερο κόστος υψηλότερο από το υπόστρωμα νιτριδίου αλουμινίου και η θερμική αγωγιμότητα είναι πάνω από 80 ή περισσότερο.

Ο κεραμικός αναφλεκτήρας είναι κεραμικά στοιχεία PTC: Τα κεραμικά υλικά PTC ονομάζονται για τον θετικό θερμικό συντελεστή αντίστασής τους (δηλαδή, η αντίσταση αυξάνεται κατά τη θέρμανση). Αυτό σημαίνει ότι έχουν μια εξαιρετικά μη γραμμική θερμική απόκριση, έτσι ώστε πάνω από μια εξαρτώμενη από τη σύνθεση θερμοκρασία κατωφλίου να αυξάνεται γρήγορα η αντίστασή τους. Αυτή η συμπεριφορά κάνει το υλικό να λειτουργεί ως ο δικός του θερμοστάτης, αφού το ρεύμα περνά όταν είναι κρύο και όχι όταν είναι ζεστό, οπότε η θερμοκρασία σταθεροποιείται σε μια συγκεκριμένη θερμοκρασία (950~1000°C).

Τα σημερινά σχέδια μονάδων ισχύος βασίζονται κυρίως σε οξείδιο αλουμινίου (Al2O3) ή κεραμικό AlN, αλλά οι αυξανόμενες απαιτήσεις απόδοσης αναγκάζουν τους σχεδιαστές να εξετάσουν προηγμένες εναλλακτικές λύσεις υποστρώματος. Ένα παράδειγμα φαίνεται σε εφαρμογές xEV όπου η αύξηση της θερμοκρασίας του τσιπ από 150°C σε 200°C μειώνει τις απώλειες μεταγωγής κατά 10%. Επιπλέον, οι νέες τεχνολογίες συσκευασίας, όπως οι μονάδες συγκόλλησης και χωρίς σύρματα, καθιστούν τα τρέχοντα υποστρώματα τον αδύναμο κρίκο.

Επί του παρόντος, εφαρμόζεται επί του παρόντος σε ηλεκτρονικά προϊόντα υψηλής τεχνολογίας, η πιο εφαρμογή, το πλεονέκτημά του είναι:

Οι κύριες συσκευές ισχύος που αντιπροσωπεύονται από MOSFET, IGBT, τρανζίστορ κ.λπ. καταλαμβάνουν μια θέση στα αντίστοιχα τμήματα συχνοτήτων και στα τμήματα παροχής ρεύματος. Λόγω της ολοκληρωμένης και εξαιρετικής απόδοσης του IGBT,