Κεραμικό υπόστρωμα νιτριδίου πυριτίου για ηλεκτρονικά

Κεραμικό υπόστρωμα νιτριδίου πυριτίου για ηλεκτρονικά

Το Silicon Nitride Ceramic Substrate for Electronics είναι ένας εξειδικευμένος τύπος κεραμικού υλικού που χρησιμοποιείται σε διάφορες βιομηχανικές εφαρμογές όπου απαιτείται υψηλή αντοχή, ανθεκτικότητα και θερμική σταθερότητα. Είναι κατασκευασμένο από συνδυασμό πυριτίου, αζώτου και άλλων στοιχείων που του προσδίδουν μοναδικές μηχανικές, θερμικές και χημικές ιδιότητες.

Το κεραμικό υπόστρωμα Si3N4 έχει εξαιρετική μηχανική αντοχή, καθιστώντας το εξαιρετικά ανθεκτικό στη φθορά και τη φθορά από κρούση και συμπίεση. Είναι επίσης εξαιρετικά ανθεκτικό σε θερμικούς κραδασμούς, ικανό να αντέχει σε γρήγορες αλλαγές θερμοκρασίας χωρίς ρωγμές ή σπάσιμο. Αυτό το καθιστά ιδανικό για χρήση σε βιομηχανίες υψηλών θερμοκρασιών όπως η αεροδιαστημική, η μηχανική αυτοκινήτων και άλλοι τομείς όπου είναι απαραίτητη η απαγωγή θερμότητας.

Εκτός από τις μηχανικές και θερμικές του ιδιότητες, το κεραμικό υπόστρωμα Si3N4 προσφέρει επίσης εξαιρετική ηλεκτρική μόνωση και καλή αντοχή στη διάβρωση σε σκληρά περιβάλλοντα. Χρησιμοποιείται σε εφαρμογές ηλεκτρονικών και ημιαγωγών όπως μονάδες ισχύος και ηλεκτρονικά υψηλής θερμοκρασίας λόγω των ανώτερων ιδιοτήτων απαγωγής θερμότητας και μόνωσης.

Συνολικά, το κεραμικό υπόστρωμα νιτριδίου του πυριτίου Si3N4 είναι ένα εξαιρετικό υλικό με ένα ευρύ φάσμα εφαρμογών. Η εξαιρετική του μηχανική αντοχή, η θερμική σταθερότητα, η ηλεκτρική μόνωση και η χημική του αντοχή το καθιστούν ιδανικό για διάφορες βιομηχανικές και ηλεκτρονικές εφαρμογές όπου η αξιοπιστία και η αποτελεσματικότητα είναι κρίσιμοι παράγοντες.

Το Torbo® Κεραμικό υπόστρωμα νιτριδίου πυριτίου για ηλεκτρονικά

Είδος: Υπόστρωμα νιτριδίου πυριτίου

Υλικό: Si3N4

Χρώμα: Γκρι

Πάχος: 0,25-1mm

Επεξεργασία επιφάνειας: Διπλή στίλβωση

Χύδην πυκνότητα: 3,24 g/㎤

Τραχύτητα επιφάνειας Ra: 0,4μm

Αντοχή κάμψης: (μέθοδος 3 σημείων): 600-1000Mpa

Μέτρο ελαστικότητας: 310Gpa

Ανθεκτικότητα σε θραύση (μέθοδος IF): 6,5 MPa･√m

Θερμική αγωγιμότητα: 25°C 15-85 W/(m･K)

Συντελεστής διηλεκτρικής απώλειας: 0,4

Αντίσταση όγκου: 25°C >1014 Ω･㎝

Ισχύς διάσπασης: DC >15㎸/㎜